英特尔卷土重来谁能坐稳后摩尔时代工艺制程王座？

据国外媒体消息，英特尔副总裁兼技术开发主管安·凯莱赫最近几天表示，英特尔正在实现夺回半导体制造领先地位的目标。

凯莱赫说:英特尔的季度里程碑表明，我们处于领先地位或走在正确的道路上她表示，英特尔目前正在量产7纳米芯片，并准备开始制造4纳米芯片，明年下半年将准备转用3纳米

谁能坐上后摩尔技术的宝座。

英特尔CEO基辛格曾表示要重新回到生产技术的领先地位，重回领导岗位前提是英特尔长期处于领先地位以及我们这里所说的生产技术，具体来说就是尖端的半导体制造工艺

回顾英特尔早期的工艺，在14nm之前，英特尔始终推动行业内的重大工艺革新，始终保持领先其他fab和代工工厂数年的技术水平。

比如90nm时代，英特尔推出应力增强的eSiGe，行业第一，

2005年，英特尔首次采用HKMG，比其他公司早了5年多，2011年，英特尔22nm工艺首次推出FinFET晶体管。......

14nm之后，英特尔遇到了技术瓶颈先是原计划的Fab 14工厂升级进程被取消，然后10nm屡屡受挫，7nm变得遥遥无期

直到今年，英特尔在IEEE VLSI大会上公开了其首个7nm工艺。

在英特尔先进技术关闭期间，TSMC和三星一路高歌猛进，TSMC在7nm技术之后稳坐先进节点的宝座。

2018年N7技术的问世，可以看作是TSMC超越英特尔的转折点此时AMD Zen 2架构CPU开始采用TSMC的7nm技术，终于在最终销售的CPU产品上第一次实现了对Intel处理器的局部超越

此后，TSMC在2020年迅速推出6nm和5nm，并宣布将在今年第四季度量产3nm，并计划在2024年下半年进入风险较大的2nm节点试产。

赶上是正常的英特尔计划在2030年超过三星的OEM业务，三星也威胁要在2030年超过TSMC

今年7月，三星宣布量产3nm工艺，并将率先采用GAA技术它还计划在2023年推出第二代3nm工艺，并进一步计划在2025年发展到2nm工艺，2027年发展到1.4nm工艺

据业内人士透露，三星的排期还是有可能的，目前的关键问题是产品良率。

根据TrendForce集邦咨询研究，今年第二季度前十大代工产值中，TSMC第二季度营收181.5亿美元，5/4nm营收增长约11.1%，成为第二季度最佳制程节点，7/6nm制程节点营收增长2.8%。

在三星，7/6nm产能已经转为5/4nm制程，良品率不断提升，带动第二季度营收达到55.9亿美元，环比增长4.9%。

与此同时，首款采用GAA架构的3GAE工艺在今年第二季度末正式量产，第一波客户是矿业公司PanSemi。

目前已经跌下神坛的英特尔，计划通过产业，人才，技术等多方面的布局，重回巅峰，专注前沿制造技术英特尔的计划是在四年内将五个主要工艺节点从Intel 7提升到Inetl 18A

英特尔2022年投资者大会图表

Intel 7已经在2021年量产，Intel计划在今年下半年量产Intel 4，英特尔3的量产，明年下半年，2024年上半年英特尔20A量产，以及2024年下半年Intel 18A的量产。

业内人士表示，虽然英特尔跨越五个节点的四年计划有些夸张，但值得注意的是，英特尔在某些方面充分吸取了之前的教训，做了一些技术上的改变。

早年，英特尔严格遵循摩尔定律毕竟，摩尔定律是由英特尔的戈丹·摩尔提出的这期间，英特尔非常执着于晶体管密度的门槛

公开资料显示，22nmrarr是从英特尔公布的逻辑晶体管密度演进方向来看的，在14纳米，英特尔实现了晶体管密度的2.5倍增长，和14nmrarr10nm，英特尔的目标是将晶体管密度提高2.7倍。

英特尔称之为超级扩展这些数值都很客观，毕竟TSMC N7rarr，51.9x密度增加，N5rarrN3 1.6倍的密度增长已经是行业领先

同样，很多业内人士认为，英特尔10nm和7nm工艺难产的关键在于英特尔对晶体管密度的偏执。

2021年，英特尔对其工艺节点进行了更名，并推出了四年更新五代节点的理念，这一切实际上都抛弃了过去偏执于增加晶体管密度的传统。

从TSMC，三星，英特尔的提前节点计划来看，如果大家的工艺进度都按时推进，三家可能在2024年或2025年在2nm工艺上正面交锋到时候会发生什么样的变数

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